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Raballand, V., Cartry, G. & Cardinaud, C. (2007) A model for Si, SiCH, SiO2, SiOCH, and porous SiOCH etch rate calculation in inductively coupled fluorocarbon plasma with a pulsed bias: Importance of the fluorocarbon layer. J. Appl. Phys. 102 063306.   
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 22:02:29 Pop. 0.75%
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