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Boulard, F., Baylet, J. & Cardinaud, C. (2009) Effect of Ar and N-2 addition on CH4-H-2 based chemistry inductively coupled plasma etching of HgCdTe. J. Vac. Sci. Technol. A, 27 855–861.   
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 21:41:24 Pop. 1%
Gaboriau, F., Cartry, G., Peignon, M. C. & Cardinaud, C. (2006) Etching mechanisms of Si and SiO2 in fluorocarbon ICP plasmas: Analysis of the plasma by mass spectrometry, Langmuir probe and optical emission spectroscopy. J. Phys. D-Appl. Phys. 39 1830–1845.   
Added by: Florent Boucher 2016-05-12 13:21:37 Pop. 0.75%
Raballand, V., Cartry, G. & Cardinaud, C. (2007) A model for Si, SiCH, SiO2, SiOCH, and porous SiOCH etch rate calculation in inductively coupled fluorocarbon plasma with a pulsed bias: Importance of the fluorocarbon layer. J. Appl. Phys. 102 063306.   
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 22:02:29 Pop. 0.75%
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