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Auteur:  Zhang
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Antoun, G., Tillocher, T., Girard, A., Lefaucheux, P., Faguet, J., Kim, H., Zhang, D., Wang, M., Maekawa, K., Cardinaud, C. & Dussart, R. (2022) Cryogenic nanoscale etching of silicon nitride selectively to silicon by alternating SiF4/O-2 and Ar plasmas. Journal of Vacuum Science & Technology A, 40.   
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