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Auteur:  Faguet
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Antoun, G., Girard, A., Tillocher, T., Lefaucheux, P., Faguet, J., Maekawa, K., Cardinaud, C. & Dussart, R. (2022) Quasi In Situ XPS on a SiOxFy Layer Deposited on Silicon by a Cryogenic Process. ECS J. Solid State Sci. Technol. 11 013013.   
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Antoun, G., Dussart, R., Tillocher, T., Lefaucheux, P., Cardinaud, C., Girard, A., Tahara, S., Yamazaki, K., Yatsuda, K., Faguet, J. & Maekawa, K. (2019) The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon. Japanese Journal of Applied Physics, 58 SEEB03.   
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