IMN

Biblio. IMN

Liste de références

Affichage de 1 - 4 de 4 (Bibliographie: Bibliographie WIKINDX globale)
Paramètres :
Auteur:  Querre
Ordonner par

Croissant
Décroissant
Utiliser tout ce qui est coché 
Utiliser tout ce qui est affiché 
Utiliser tous les items 
Bouquet, V., Cario, L., Cordier, S., Guilloux-Viry, M., Querre, M., Corraze, B., Janod, E., Besland, M. P., Tranchant, J. & Potel, M. 2014. Electric Pulse Induced Resistive Switching in the Narrow Gap Mott Insulator GaMo4S8. Paper read at Inorganic and Environmental Materials.   
Last edited by: Richard Baschera 2016-08-30 12:52:10 Pop. 1%
Janod, E., Tranchant, J., Corraze, B., Querre, M., Stoliar, P., Rozenberg, M., Cren, T., Roditchev, D., Phuoc, V. T., Besland, M.-P. & Cario, L. (2015) Resistive Switching in Mott Insulators and Correlated Systems. Adv. Funct. Mater. 25 6287–6305.   
Last edited by: Richard Baschera 2020-04-07 13:02:41 Pop. 1.25%
Querre, M., Janod, E., Cario, L., Tranchant, J., Corraze, B., Bouquet, V., Deputier, S., Cordier, S., Guilloux-Viry, M. & Besland, M.-P. (2016) Metal-insulator transitions in (V1-xCrx)(2)O-3 thin films deposited by reactive direct current magnetron co-sputtering. Thin Solid Films, 617 56–62.   
Last edited by: Richard Baschera 2016-12-23 15:06:05 Pop. 1.5%
Rupp, J. A. J., Querre, M., Kindsmueller, A., Besland, M.-P., Janod, E., Dittmann, R., Waser, R. & Wouters, D. J. (2018) Different threshold and bipolar resistive switching mechanisms in reactively sputtered amorphous undoped and Cr-doped vanadium oxide thin films. Journal of Applied Physics, 123 044502.   
Last edited by: Richard Baschera 2018-02-16 08:30:30 Pop. 1%
wikindx 4.2.2 ©2014 | Références totales : 2859 | Requêtes métadonnées : 44 | Exécution de script : 0.52357 secs | Style : Harvard | Bibliographie : Bibliographie WIKINDX globale