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Eon, D., Raballand, V., Cartry, G. & Cardinaud, C. (2007) High density fluorocarbon plasma etching of methylsilsesquioxane SiOC(H) low-k material and SiC(H) etch stop layer: surface analyses and investigation of etch mechanisms. J. Phys. D-Appl. Phys. 40 3951–3959.   
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Raballand, V., Cartry, G. & Cardinaud, C. (2007) A model for Si, SiCH, SiO2, SiOCH, and porous SiOCH etch rate calculation in inductively coupled fluorocarbon plasma with a pulsed bias: Importance of the fluorocarbon layer. J. Appl. Phys. 102 063306.   
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Raballand, V., Cartry, G. & Cardinaud, C. (2007) Porous SiOCH, SiCH and SiO2 etching in high density fluorocarbon plasma with a pulsed bias. Plasma Process. Polym. 4 563–573.   
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