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Bailly, F., David, T., Chevolleau, T., Darnon, M., Posseme, N., Bouyssou, R., Ducote, J., Joubert, O. & Cardinaud, C. (2010) Roughening of porous SiCOH materials in fluorocarbon plasmas. J. Appl. Phys. 108 014906.
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 21:37:32	Pop. 0.75%
Bousquet, A., Bursikova, V., Goullet, A., Djouadi, A., Zajickova, L. & Granier, A. (2006) Comparison of structure and mechanical properties of SiO(2)-like films deposited in O(2)/HMDSO pulsed and continuous plasmas. Surf. Coat. Technol. 200 6517–6521.
Added by: Florent Boucher 2016-05-12 13:21:37	Pop. 0.5%
Bousquet, A., Goullet, A., Leteinturier, C., Coulon, N. & Granier, A. (2008) Influence of ion bombardment on structural and electrical properties of SiO2 thin films deposited from O-2/HMDSO inductively coupled plasmas under continuous wave and pulsed modes. Eur. Phys. J.-Appl. Phys, 42 3–8.
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 21:58:42	Pop. 0.5%
Gaboriau, F., Cartry, G., Peignon, M. C. & Cardinaud, C. (2006) Etching mechanisms of Si and SiO2 in fluorocarbon ICP plasmas: Analysis of the plasma by mass spectrometry, Langmuir probe and optical emission spectroscopy. J. Phys. D-Appl. Phys. 39 1830–1845.
Added by: Florent Boucher 2016-05-12 13:21:37	Pop. 0.5%
Raballand, V., Cartry, G. & Cardinaud, C. (2007) A model for Si, SiCH, SiO2, SiOCH, and porous SiOCH etch rate calculation in inductively coupled fluorocarbon plasma with a pulsed bias: Importance of the fluorocarbon layer. J. Appl. Phys. 102 063306.
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 22:02:29	Pop. 0.5%
Raballand, V., Cartry, G. & Cardinaud, C. (2007) Porous SiOCH, SiCH and SiO2 etching in high density fluorocarbon plasma with a pulsed bias. Plasma Process. Polym. 4 563–573.
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 22:02:29	Pop. 0.75%