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Marcos, G., Rhallabi, A. & Ranson, P. (2008) Properties of deep etched trenches in silicon: Role of the angular dependence of the sputtering yield and the etched species redeposition. Appl. Surf. Sci. 254 3576–3584.   
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 21:58:42 Pop. 1%
Pereira, J., Pichon, L. E., Dussart, R., Cardinaud, C., Duluard, C. Y., Oubensaid, E. H., Lefaucheux, P., Boufnichel, M. & Ranson, P. (2009) In situ x-ray photoelectron spectroscopy analysis of SiOxFy passivation layer obtained in a SF6/O-2 cryoetching process. Appl. Phys. Lett. 94 071501.   
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 21:41:24 Pop. 1%
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