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Auteur:  Dussart
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Antoun, G., Girard, A., Tillocher, T., Lefaucheux, P., Faguet, J., Maekawa, K., Cardinaud, C. & Dussart, R. (2022) Quasi In Situ XPS on a SiOxFy Layer Deposited on Silicon by a Cryogenic Process. ECS J. Solid State Sci. Technol. 11 013013.   
Last edited by: Richard Baschera 2022-02-10 17:00:11 Pop. 4%
Antoun, G., Dussart, R., Tillocher, T., Lefaucheux, P., Cardinaud, C., Girard, A., Tahara, S., Yamazaki, K., Yatsuda, K., Faguet, J. & Maekawa, K. (2019) The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon. Japanese Journal of Applied Physics, 58 SEEB03.   
Last edited by: Richard Baschera 2019-07-25 07:42:14 Pop. 0.75%
Pereira, J., Pichon, L. E., Dussart, R., Cardinaud, C., Duluard, C. Y., Oubensaid, E. H., Lefaucheux, P., Boufnichel, M. & Ranson, P. (2009) In situ x-ray photoelectron spectroscopy analysis of SiOxFy passivation layer obtained in a SF6/O-2 cryoetching process. Appl. Phys. Lett. 94 071501.   
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 21:41:24 Pop. 0.5%
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