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Auteur:  Al Alam
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Al Alam, E., Cortes, I., Besland, M. .-P., Goullet, A., Lajaunie, L., Regreny, P., Cordier, Y., Brault, J., Cazarre, A., Isoird, K., Sarrabayrouse, G. & Morancho, F. (2011) Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO2/GaN interfaces. J. Appl. Phys. 109 084511.   
Added by: Laurent Cournède 2016-03-10 21:32:21 Pop. 0.25%
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